韩联社首尔１０月１９日电　三星电子１９日宣布，开发出了世界第一个５０纳米１Ｇｂ动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ）半导体，正式进入５０纳米ＤＲＡＭ时代。
        
        从２０００年的１５０纳米技术开始，三星电子至此连续８代，实现在世界上第一个开发ＤＲＡＭ新工艺。
        
        ５０纳米工艺技术与目前正在批量生产的８０纳米工艺相比，技术领先了３代，工作效率高出２倍，且与三星电子去年开发的世界首个６０纳米工艺相比，工作效率也提高了５５％，堪称最尖端的精细工艺技术。
        
        该技术加强了超高速运作和耗电量低的特性，适用范围进一步扩大，可以用于大容量ＰＣ用ＤＲＡＭ、制图ＤＲＡＭ、移动ＤＲＡＭ等所有ＤＲＡＭ。
        
        三星电子计划从２００８年第１季度开始出售采用５０纳米工艺的ＤＲＡＭ产品，公司预测，５０纳米级ＤＲＡＭ市场规模可能从２００８年的５０亿美元，到２０１１年的４年时间里，增加到５５０亿美元。
        
        同时，三星电子就此次的５０纳米ＤＲＡＭ开发，在新工艺、产品开发、设计等各项领域，向国内外共申请了５１项专利。（完）