韩联社旧金山１２月１３日电　三星电子继开发具备ＮＡＮＤ型闪存和ＮＯＲ型闪存优点的ＯｎｅＮＡＮＤ之后，又成功开发出“第二代合成存储器”——５１２兆Ｏｎｅ　Ｄ内存。
        

黄昌圭在发表演讲。

        三星电子半导体部门社长黄昌圭当地时间１１日在美国旧金山希尔顿酒店开幕的ＩＥＥＥ（国际电子与电器工程师协会）下属的ＩＥＤＭ（国际电子元件会议）上表示，三星电子成功开发出Ｏｎｅ　Ｄ内存。
        
        Ｏｎｅ　Ｄ内存是将移动Ｄ内存和Ｓ内存两种类型的数据传输内存，用一个Ｄ内存代替的“合成存储器”。该存储器具有将两个ＣＰＵ分别专用的Ｄ内存整合为一个，共享ＣＰＵ间的数据，进而可调整数据量的功能（Ｓｈａｒｅｄ　Ｂａｎｋ）。因此，Ｏｎｅ　Ｄ内存的特点就是最大限度地缩短了ＣＰＵ间数据处理速度。
        

三星电子开发的Ｏｎｅ　Ｄ内存。

        三星电子表示，通过Ｏｎｅ　Ｄ内存可以实现比原先快５倍的ＣＰＵ间高速数据传输；可减少芯片使用数量，节约系统构成成本；减少５０％的电路面积和３０％的用电量。截至目前，三星电子已经完成该产品的工艺开发，生产出了样品。计划明年第二季度开始批量生产，第三季度开始向市场供应。
        
        据三星电子预测，明年下半年开始Ｏｎｅ　Ｄ内存正式搭载在手机后，其市场将从２００８年的２亿美元上升到２０１１年的２５亿美元左右。１Ｇ　Ｏｎｅ　Ｄ内存的手机批量生产后，该项目将在２００８年正式步入轨道。
        
        黄昌圭在ＩＥＥＥ主题演讲中表示：“不远的将来将进入ＦＴ（融合技术）时代，届时，全球６５亿人口都将成为顾客群。为实现这一目标，全世界半导体企业都在挑战新概念半导体产品的开发，而半导体融合技术、３Ｄ集成电路技术及ＣＴＦ（Ｃｈａｒｇｅ　Ｔｒａｐ　Ｆｌａｓｈ）技术等将成为新产品开发的铺垫。”　
        
        当地时间１２日，ＩＥＥＥ理事会向黄昌圭颁发了象征半导体技术领域世界最高奖项的“２００６　ＩＥＥＥ　Ａｎｄｙ　Ｇｒｏｖｅ奖”。学会会员等３０００余人参加了当天的活动。
        
        黄昌圭得到英特尔等企业的推荐，他成功研发出新一代存储器产品、提出存储器新增长论、连续７年证明“黄的法则”，其功劳获得高度评价，获得了该奖。在获得“Ａｎｄｙ　Ｇｒｏｖｅ奖”的人共有７名，黄昌圭是获得该奖项的第一位东方人。（完）